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AOTF4N90

配单专家企业名单
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AOTF4N90 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
  • RoHS
  • 类别
  • 分离式半导体产品 >> FET - 单
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点
  • 逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
  • 200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫欧 @ 9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安装类型
  • 通孔
  • 封装/外壳
  • TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装
  • TO-220FP
  • 包装
  • 管件
AOTF4N90 技术参数
  • AOTF4N60L 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):18nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):615pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):35W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 供应商器件封装:TO-220F 封装/外壳:TO-220-3 整包 标准包装:1,000 AOTF4N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.2 欧姆 @ 2A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):18nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):615pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF474 功能描述:MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),47A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):11.3 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3370pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:1,000 AOTF472 功能描述:MOSFET N-CH 75V 53A TO220FL 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):75V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta),53A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 30A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):4500pF @ 30V 功率 - 最大值:1.9W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FL 标准包装:1,000 AOTF454L 功能描述:MOSFET N-CH 150V 3A TO220F 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):150V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta),13A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):94 毫欧 @ 10A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.6V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):985pF @ 75V 功率 - 最大值:2.1W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220-3F 标准包装:1,000 AOTF7N60FD AOTF7N65 AOTF7N70 AOTF7S60L AOTF7S65 AOTF7T60 AOTF7T60L AOTF7T60P AOTF7T60PL AOTF8N50 AOTF8N60 AOTF8N65 AOTF8N80 AOTF8T50P AOTF8T50P_001 AOTF9N50 AOTF9N70 AOTF9N90
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