STF30NM60

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STF30NM60 技术参数

STF30N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:64nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:2880pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:24 毫欧 @ 16A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1270pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF3060CR 功能描述:DIODE SCHOTTKY 60V ITO220AB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.2mA @ 60V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 隔离片供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 STF3060C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:700mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.2mA @ 60V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 隔离片供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 STF3045C 功能描述:DIODE SCHOTTKY 45V ITO220AB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:肖特基电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:- 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:570mV @ 15A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2mA @ 45V 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 隔离片供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 STF34NM60N STF34NM60ND STF35N60DM2 STF35N65M5 STF38N65M5 STF3HNK90Z STF3LN62K3 STF3LN80K5 STF3N62K3 STF3N80K5 STF3NK100Z STF3NK80Z STF40100C STF40120C STF40150C STF4045C STF4060C STF4080C