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STF6N65K3

配单专家企业名单
  • 型号
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  • STF6N65K3
    STF6N65K3

    STF6N65K3

  • 深圳庞田科技有限公司
    深圳庞田科技有限公司

    联系人:吴小姐

    电话:13612858787

    地址:深圳市龙岗区坂田街道杨美社区旺塘16巷12号13A

  • 15200

  • ST/意法

  • TO-220F

  • 21+原装

  • -
  • 庞田无假货,只做原装正品,货真价实欢迎前...

  • STF6N65K3
    STF6N65K3

    STF6N65K3

  • 深圳市企诺德电子有限公司
    深圳市企诺德电子有限公司

    联系人:

    电话:13480313979

    地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场54楼5403B-5404AB

    资质:营业执照

  • 15000

  • STMicroelectronics

  • N/A

  • 22+

  • -
  • 原装正品 专业BOM配单

  • STF6N65K3
    STF6N65K3

    STF6N65K3

  • 东莞鼎岑科技有限公司
    东莞鼎岑科技有限公司

    联系人:

    电话:18925581989

    地址:广东省东莞市塘厦镇林村大道445号北钜业大夏319室

  • 20000

  • ST

  • 21+

  • -
  • STF6N65K3
    STF6N65K3

    STF6N65K3

  • 永利电子元器件深圳有限公司
    永利电子元器件深圳有限公司

    联系人:全迎

    电话:1892843782715626510689杨小姐

    地址:华强路汇商中心

  • 10000

  • ST专家

  • TO-220F

  • 21+

  • -
  • 只做原装正品

  • STF6N65K3
    STF6N65K3

    STF6N65K3

  • 深圳市博盛源科技有限公司
    深圳市博盛源科技有限公司

    联系人:朱先生

    电话:0755-23984783

    地址:华强广场C座22K

    资质:营业执照

  • 46700

  • ST

  • 21+

  • -
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STF6N65K3 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
STF6N65K3 技术参数
  • STF6N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):620V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.28 欧姆 @ 2.8A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):875pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF6N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.25A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):232pF @ 100V 功率 - 最大值:20W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF6N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 5.0A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):525V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):26nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):670pF @ 50V 功率 - 最大值:25W 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF60100C 功能描述:DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V ITO220 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管配置:1 对共阴极 二极管类型:肖特基 电压 - DC 反向(Vr)(最大值):100V 电流 - 平均整流(Io)(每二极管):- 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):900mV @ 30A 速度:快速恢复 = 200mA(Io) 反向恢复时间(trr):- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1mA @ 100V 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 供应商器件封装:ITO-220AB 标准包装:50 STF5NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):1000V(1kV) 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.7 欧姆 @ 1.75A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):59nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1154pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220FP 标准包装:50 STF724 STF7LN80K5 STF7N105K5 STF7N52DK3 STF7N52K3 STF7N60M2 STF7N65M2 STF7N80K5 STF7N90K5 STF7N95K3 STF7NM50N STF7NM60N STF7NM80 STF80N10F7 STF817A STF826 STF8N60DM2 STF8N65M5
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