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参数资料
| 型号： | ICS8312AYLF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 14/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFF 1:12 250MHZ 32-LQFP |
| 标准包装： | 250 |
| 系列： | HiPerClockS™ |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配） |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:12 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL |
| 输出： | LVCMOS，LVTTL |
| 频率 - 最大： | 250MHz |
| 电源电压： | 1.6 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-LQFP |
| 供应商设备封装： | 32-TQFP（7x7） |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1249 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 800-1111 8312AYLF |
ICS8312
LOW SKEW, 1-TO-12 LVCMOS/LVTTL FANOUT BUFFER
IDT / ICS LVCMOS/LVTTL FANOUT BUFFER
5
ICS8312AY REV. D JULY 3, 2008
Table 4D. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, VDDO = 2.5V ± 5%, TA = 0°C to 85°C
Table 4E. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, VDDO = 1.8V ±0.2V, TA = 0°C to 85°C
Table 4F. Power Supply DC Characteristics, VDD = 2.5V ± 5%, VDDO = 1.8V ±0.2V, TA = 0°C to 85°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
VDDO
Output Supply Voltage
2.375
2.5
2.625
V
IDD
Power Supply Current
10
mA
IDDO
Output Supply Current
10
mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
VDDO
Output Supply Voltage
1.6
1.8
2.0
V
IDD
Power Supply Current
10
mA
IDDO
Output Supply Current
10
mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
2.375
2.5
2.625
V
VDDO
Output Supply Voltage
1.6
1.8
2.0
V
IDD
Power Supply Current
10
mA
IDDO
Output Supply Current
10
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参数描述 |
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| ICS8312AYLFT | 功能描述:IC CLK BUFF 1:12 250MHZ 32-LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 系列:HiPerClockS™ 标准包装:74 系列:- 类型:扇出缓冲器（分配） 电路数:1 比率 - 输入:输出:1:10 差分 - 输入:输出:是/是 输入:HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL 输出:HCSL，LVDS 频率 - 最大:400MHz 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:32-VFQFN 裸露焊盘 供应商设备封装:32-QFN（5x5） 包装:管件 |
| ICS8312AYT | 制造商:ICS 制造商全称:ICS 功能描述:LOW SKEW, 1-TO-12 LVCMOS / LVTTL FANOUT BUFFER |
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