参数资料
型号: ICS8312AYLF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 15/18页
文件大小: 0K
描述: IC CLK BUFF 1:12 250MHZ 32-LQFP
标准包装: 250
系列: HiPerClockS™
类型: 扇出缓冲器(分配)
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:12
差分 - 输入:输出: 无/无
输入: LVCMOS,LVTTL
输出: LVCMOS,LVTTL
频率 - 最大: 250MHz
电源电压: 1.6 V ~ 3.465 V
工作温度: 0°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 32-LQFP
供应商设备封装: 32-TQFP(7x7)
包装: 托盘
产品目录页面: 1249 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 800-1111
8312AYLF
ICS8312
LOW SKEW, 1-TO-12 LVCMOS/LVTTL FANOUT BUFFER
IDT / ICS LVCMOS/LVTTL FANOUT BUFFER
6
ICS8312AY REV. D JULY 3, 2008
Table 4G. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, TA = 0°C to 85°C
NOTE 1: Outputs terminated with 50
to V
DDO/2. See Parameter Measurement Information, Output Load Test Circuit diagrams.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VIH
Input High Voltage
VDD = 3.465V
2
VDD + 0.3
V
VDD = 2.625V
1.7
VDD + 0.3
V
VDD = 2.0V
0.65*VDD
VDD + 0.3
V
VIL
Input Low Voltage
VDD = 3.465V
-0.3
1.3
V
VDD = 2.625V
-0.3
0.7
V
VDD = 2.0V
-0.3
0.35*VDD
V
IIH
Input
High Current
CLK
VDD = VIN = 3.465V or
2.625V or 2.0V
150
A
OE, CLK_EN
VDD = VIN = 3.465V or
2.625V or 2.0V
5A
IIL
Input
Low Current
CLK
VDD = 3.465V or 2.625V or 2.0V,
VIN = 0V
-5
A
OE, CLK_EN
VDD = 3.465V or 2.625V or 2.0V,
VIN = 0V
-150
A
VOH
Output High Voltage; NOTE 1
VDDO = 3.3V ± 5%
2.6
V
VDDO = 2.5V ± 5%;
1.8
V
VDDO = 2.5V ± 5%; IOH = -1mA
2
V
VDDO = 1.8V ± 0.2V
VDD – 0.3
V
VDDO = 1.8V ± 0.2V; IOH = -100A
VDD – 0.2
V
VOL
Output Low Voltage; NOTE 1
VDDO = 3.3V ± 5%
0.5
V
VDDO = 2.5V ± 5%;
0.45
V
VDDO = 2.5V ± 5%; IOL = 1mA
0.4
V
VDDO = 1.8V ± 0.2V
0.35
V
VDDO = 1.8V ± 0.2V; IOL = 100A
0.2
V
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