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参数资料
型号： ICS844S42BKILF
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 3/27页
文件大小： 0K
描述： IC SYNTHESIZER RF FREQ 56-VFQFPN
标准包装： 260
系列： HiPerClockS™
类型： 频率合成器
PLL： 带旁路
输入： LVCMOS，LVTTL，晶体
输出： LVDS，LVPECL
电路数： 1
比率 - 输入:输出： 2:2
差分 - 输入:输出： 无/是
频率 - 最大： 2.592GHz
除法器/乘法器： 是/无
电源电压： 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 56-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装： 56-VFQFP-EP（8x8）
包装： 托盘
其它名称： 844S42BKILF
ICS844S42BKI REVISION A FEBRUARY 21, 2012
11
2012 Integrated Device Technology, Inc.
ICS844S42I Data Sheet
DUAL OUTPUT RF FREQUENCY SYNTHESIZER
Table 4B. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
Table 4C. LVDS DC Characteristics, VDD = VDDOA = VDDOB = 3.3V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
Table 4D. LVPECL DC Characteristics, VDD = VDDOA = VDDOB = 3.3V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
NOTE 1: Outputs termination with 50
to V
DDOx – 2V.
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VIH
Input High Voltage
2.2
VDD + 0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-0.3
0.8
V
IIH
Input High Current
REF_CLK, nPLOAD,
LEV_SEL, ADR[1:0],
NA[0:2], NB[0:2], M1,
M2, M3, M7, M8,
nBYPASS
VDD = VIN = 3.465V
150
A
M0, M4, M5, M6, M9,
P, nMR, SDA, SCL,
REF_SEL
VDD = VIN = 3.465V
10
A
IIL
Input Low Current
REF_CLK, nPLOAD,
LEV_SEL, ADR[1:0],
NA[0:2], NB[0:2], M1,
M2, M3, M7, M8,
nBYPASS
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-10
A
M0, M4, M5, M6, M9,
P, nMR, SDA, SCL,
REF_SEL
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-150
A
VOH
Output High Voltage
LOCK_DT
IOH = -12mA
2.6
V
VOL
Output Low Voltage
LOCK_DT
IOL = 12mA
0.5
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VOD
Differential Output Voltage
LEV_SEL = 0
300
400
500
V
OD
VOD Magnitude Change
LEV_SEL = 0
50
mV
VOS
Offset Voltage
LEV_SEL = 0
1.1
1.2
1.3
V
OS
VOS Magnitude Change
LEV_SEL = 0
50
mV
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VOH
Output High Voltage; NOTE 1
LEV_SEL = 1
VDDOx – 1.2
VDDOx – 0.8
V
VOL
Output Low Voltage; NOTE 1
LEV_SEL = 1
VDDOx – 2.0
VDDOx – 1.4
V
VSWING
Peak-to-Peak Output Voltage Swing
LEV_SEL = 1
0.6
1
V
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