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参数资料
型号： ICS8543BGLFT
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 13/18页
文件大小： 0K
描述： IC CLOCK BUFFER MUX 2:4 20-TSSOP
标准包装： 2,500
系列： HiPerClockS™
类型： 扇出缓冲器（分配），多路复用器
电路数： 1
比率 - 输入:输出： 2:4
差分 - 输入:输出： 是/是
输入： CML，HCSL，LVDS，LVHSTL，LVPECL，SSTL
输出： LVDS
频率 - 最大： 800MHz
电源电压： 3.135 V ~ 3.465 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商设备封装： 20-TSSOP
包装： 带卷 (TR)
其它名称： 8543BGLFT
ICS8543 Data Sheet
LOW SKEW, 1-to-4, DIFFERENTIAL-TO-LVDS FANOUT BUFFER
ICS8543BG REVISION E DECEMBER 17, 2010
4
2010 Integrated Device Technology, Inc.
Absolute Maximum Ratings
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect product reliability.
DC Electrical Characteristics
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, TA = 0°C to 70°C
Table 4B. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, TA = 0°C to 70°C
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
4.6V
Inputs, VI
-0.5V to VDD + 0.5V
Outputs, IO
Continuos Current
Surge Current
10mA
15mA
Package Thermal Impedance,
θ
JA
73.2
°C/W (0 lfpm)
Storage Temperature, TSTG
-65
°C to 150°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
IDD
Power Supply Current
50
mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VIH
Input High Voltage
2
3.765
V
VIL
Input Low Voltage
0.8
V
IIH
Input High Current
OE, CLK_EN
VDD = VIN = 3.465V
5
A
CLK_SEL
VDD = VIN = 3.465V
150
A
IIL
Input Low Current
OE, CLK_EN
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-150
A
CLK_SEL
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-5
A
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