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参数资料
| 型号： | ICS870931ARI-01LF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK GENERATOR LVCMOS 20QSOP |
| 标准包装： | 55 |
| 系列： | HiPerClockS™ |
| 类型： | * |
| PLL： | 带旁路 |
| 输入： | LVCMOS，LVTTL |
| 输出： | LVCMOS，LVTTL |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:6 |
| 差分 - 输入:输出： | 无/无 |
| 频率 - 最大： | 80MHz |
| 除法器/乘法器： | 是/是 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 20-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 20-QSOP |
| 包装： | 管件 |
ICS870931ARI-01 REVISION A JUNE 11, 2009
4
2009 Integrated Device Technology, Inc.
ICS870931I-01 Data Sheet
LVCMOS CLOCK GENERATOR
Absolute Maximum Ratings
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect product reliability.
DC Electrical Characteristics
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = AVDD = 3.3V ± 0.3V, TA = -40°C to 85°C
Table 4B. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, VDD = AVDD = 3.3V ± 0.3V, TA = -40°C to 85°C
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
4.6V
Inputs, VI
-0.5V to VDD + 0.5V
Outputs, VO
-0.5V to VDD + 0.5V
Package Thermal Impedance,
θ
JA
72.3°C/W (0 lfpm)
Storage Temperature, TSTG
-65
°C to 150°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD, AVDD
Positive Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
IDDQ
Quiescent Power Supply
Current
VDD = AVDD = Max., OE/nRST = 0,
SYNC =0, All Outputs Open
5mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VIH
Input High Voltage
2
VDD + 0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-0.3
0.8
V
IIH
Input High Current
SYNC, OE/nRST,
FEEDBACK, PLL_EN,
FREQ_SEL
VDD = VIN = 3.3V
5
A
IIL
Input Low Current
SYNC, OE/nRST,
FEEDBACK, PLL_EN,
FREQ_SEL
VDD = 3.3V, VIN = 0V
-5
A
VOH
Output High Voltage:
Q0:Q4, Q/2
IOH = -24 mA
2.6
V
VOL
Output Low Voltage
Q0:Q4, Q/2
IOL = 24 mA
0.5
V
IOZ
Output Leakage
Current
Q0:Q4, Q/2
OE/nRST = 0,
VOUT = 0V or VDD,
VDD = 3.6V
±5A
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