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参数资料
| 型号： | IDT7016S35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 35NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 144K（16K x 9） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7016S35G |
IDT7016S/L
High-Speed 16K x 9 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Pin Configurations
11/19/01
INDEX
(1,2,3)
(con't.)
NC
I/O 2L
I/O 3L
I/O 4L
I/O 5L
GND
1
2
3
4
5
6
60
59
58
57
56
55
NC
A 5L
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
I/O 6L
I/O 7L
V CC
NC
GND
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V CC
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
I/O 6R
NC
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
IDT7016PF
PN80-1(4)
80-Pin TQFP
Top View(5)
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
A 0L
INT L
BUSY L
GND
M/ S
BUSY R
INT R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
NC
NC
,
3190 drw 03
11/19/01
51
50
48
46 44 42 40 38
36
11
A 5L
A 4L
A 2L
A 0L BUSY L M/ S INT R
A 1R
A 3R
53
52
49
47
45 43 41
39 37
35
34
10
A 7L
A 6L
A 3L
A 1L
INT L GND BUSY R
A 0R
A 2R
A 4R
A 5R
55
54
32
33
09
08
A 9L
57
A 11L
A 8L
56
A 10L
A 7R
30
A 9R
A 6R
31
A 8R
07
06
59
V CC
61
N/C
58
A 12L
60
A 13L
IDT7016G
G68-1(4)
68-Pin PGA
Top View(5)
28
A 11R
26
GND
29
A 10R
27
A 12R
63
05 SEM L
65
62
CE L
64
24
N/C
22
25
A 13R
23
04
03
OE L
67
I/O 0L
R/ W L
66
I/O 8L
SEM R
20
OE R
CE R
21
R/ W R
V CC I/O 4R
I/O 1R
V CC
NOTES:
1. All V CC pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
02
01
68
I/O 1L
1 3
I/O 2L I/O 4L
2 4
I/O 3L I/O 5L
5 7 9 11 13 15
GND I/O 7L GND
6 8 10 12 14 16
I/O 6L I/O 0R I/O 2R I/O 3R I/O 5R
18 19
I/O 7R I/O 8R
17
I/O 6R
,
3. PN80-1 package body is approximately
14mm x 14mm x 1.4mm.
G68-1 package body is approximately
INDEX
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
3190 drw 04
1.18 in x 1.18 in x .16 in.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
3
6.42
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