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参数资料
| 型号： | IDT7016S35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 144KBIT 35NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 144K（16K x 9） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7016S35G |
IDT7016S/L
High-Speed 16K x 9 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
7016X12
Com'l Only
7016X15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time (3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
12
____
____
____
3
____
12
12
8
____
15
____
____
____
3
____
15
15
10
____
ns
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
t PU
Output High-Z Time (1,2)
Chip Enable to Power Up Time (2)
____
0
10
____
____
0
10
____
ns
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
12
____
15
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
10
____
____
12
10
____
____
15
ns
ns
3190 tbl 12a
7016X20
Com'l, Ind
& Military
7016X25
Com'l &
Military
7016X35
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
20
____
____
20
25
____
____
25
35
____
____
35
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
20
____
25
____
35
ns
t AOE
t OH
t LZ
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
____
3
3
12
____
____
____
3
3
13
____
____
____
3
3
20
____
____
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
20
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
t SOP
t SAA
Chip Disable to Power Down Time (2)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
____
10
____
20
____
20
____
10
____
25
____
25
____
10
____
35
____
35
ns
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization but not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
7
6.42
3190 tbl 12b
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