- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录328 > IDT70261L20PFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70261L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70261L20PFI |
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage (1,2)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended DC Operating
Conditions
Ambient
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Grade
Temperature
GND
Vcc
V CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
6.0
Commercial
Industrial
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
0V
0V
5.0V + 10%
5.0V + 10%
GND
V IH
Ground
Input High Voltage
0
2.2
0
____
0
(2)
V
V
-0.5
NOTES:
1. This is the parameter TA. This is the "instant on"case temperature.
3039 tbl 02
V IL
Input Low Voltage
(1)
____
0.8
V
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V TERM must not exceed Vcc + 10%.
Truth Table I – Non-Contention Read/Write Control
3039 tbl 03
Inputs (1)
Outputs
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
X
R/ W
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I/O 8-15
High-Z
High-Z
DATA IN
High-Z
DATA IN
DATA OUT
High-Z
DATA OUT
High-Z
I/O 0-7
High-Z
High-Z
High-Z
DATA IN
DATA IN
High-Z
DATA OUT
DATA OUT
High-Z
Mode
Deselected: Power-Down
Both Bytes Deselected
Write to Upper Byte Only
Write to Lower Byte Only
Write to Both Bytes
Read Upper Byte Only
Read Lower Byte Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
3039 tbl 04
NOTE:
1. A 0L — A 13L ≠ A 0R — A 13R.
Truth Table II – Semaphore Read/Write Control (1)
Inputs
Outputs
CE
H
X
H
X
L
L
R/ W
H
H
↑
↑
X
X
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I/O 8-15
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
______
______
I/O 0-7
DATA OUT
DATA OUT
DATA IN
DATA IN
______
______
Mode
Read Data in Semaphore Flag
Read Data in Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
Not Allowed
NOTE:
1. There are eight semaphore flags written to via I/O 0 and read from all I/O's(I/O 0 - I/O 15 ). These eight semaphores are addressed by A 0 - A 2 .
3
6.42
3039 tbl 05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7026L20G | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PGA |
| IDT7027L25G | IC SRAM 512KBIT 25NS 108PGA |
| IDT7028L20PFI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT7034L20PFI | IC SRAM 72KBIT 20NS 100TQFP |
| IDT7035L20PFI | IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70261L20PFI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261L25PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70261L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70261L25PFI | 制造商:IDT 功能描述:SRAM Chip Async Dual 5V 256K-Bit 16K x 16 25ns 100-Pin TQFP Tray |
| IDT70261L35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。