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参数资料
型号： IDT70261L20PFI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 6/19页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 256KBIT 20NS 100TQFP
标准包装： 45
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 256K（16K x 16）
速度： 20ns
接口： 并联
电源电压： 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 100-LQFP
供应商设备封装： 100-TQFP（14x14）
包装： 托盘
其它名称： 70261L20PFI
IDT70261S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM with Interrupt
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
70261X15
Com'l Only
70261X20
Com'l & Ind
70261X25
Com'l & Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
15
____
____
15
20
____
____
20
25
____
____
25
ns
ns
t ACE
t ABE
Chip Enable Access Time
Byte Enable Access Time
(3)
(3)
____
____
15
15
____
____
20
20
____
____
25
25
ns
ns
t AOE
t OH
t LZ
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
____
3
3
10
____
____
____
3
3
12
____
____
____
3
3
13
____
____
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
15
____
20
____
25
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
10
____
____
15
10
____
____
20
12
____
____
25
ns
ns
3039 tbl 12a
70261X35
Com'l Only
70261X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
35
____
____
35
55
____
____
55
ns
ns
t ACE
t ABE
Chip Enable Access Time
Byte Enable Access Time
(3)
(3)
____
____
35
35
____
____
55
55
ns
ns
t AOE
t OH
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
____
3
20
____
____
3
30
____
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
ns
t PD
t SOP
t SAA
Chip Disable to Power Down Time (2)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
____
15
____
35
____
35
____
15
____
50
____
55
ns
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
6.42
3039 tbl 12b
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