- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4018 > IDT7026L20J8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7026L20J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7026L20J8 |
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6,7)
7026X15
Com'l Only
7026X20
Com'l, Ind
& Military
7026X25
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
____
____
____
____
15
15
15
15
____
____
____
____
20
20
20
17
____
____
____
____
20
20
20
17
ns
ns
ns
ns
Write Hold After BUSY
t APS
t BDD
t WH
Arbitration Priority Set-up Time
BUSY Disable to Valid Data
(5)
(2)
5
____
12
____
18
____
5
____
15
____
30
____
5
____
17
____
30
____
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
12
____
____
0
15
____
____
0
17
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
30
____
45
____
50
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
25
____
30
____
35
ns
2939 tbl 14a
7026X35
Com'l, Ind
& Military
7026X55
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
____
____
____
____
20
20
20
20
____
____
____
____
45
40
40
35
ns
ns
ns
ns
BUSY Disable to Valid Data
Write Hold After BUSY
t APS
t BDD
t WH
Arbitration Priority Set-up Time
(3)
(5)
(2)
5
____
25
____
35
____
5
____
25
____
40
____
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
Write Hold After BUSY
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
(5)
0
25
____
____
0
25
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
Write Pulse to Data Delay (1)
____
60
____
80
ns
t DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
45
____
65
ns
NOTES:
2939 tbl 14b
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0, t WDD – t WP (actual), or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
7. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
12
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC65DRYN-S13 | CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND |
| AMC65DRYH-S13 | CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND |
| IDT70V07S55PF | IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP |
| AMC60DRAN | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
| AMC60DRAH | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7026L20JI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026L20JI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7026L25G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7026L25GB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA |
| IDT7026L25J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。