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参数资料
| 型号： | IDT7026L20J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7026L20J8 |
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Description
The IDT7026 is a high-speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM. The
IDT7026 is designed to be used as a stand-alone Dual-Port RAM or as
a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 32-bit-or-more word
systems. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM approach in 32-
bit or wider memory system applications results in full-speed, error-free
operation without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
Pin Configurations (1,2,3)
11/16/01
INDEX
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 750mW of power.
The IDT7026 is packaged in a ceramic 84-pin PGA, and a 84-pin
PLCC. Military grade product is manufactured in compliance with the latest
revision of MIL-PRF-38535 QML, making it ideally suited to military
temperature applications demanding the highest level of performance and
reliability.
11 10 9 8 7 6
5 4 3 2 1 84 83 82 81 80 79 78 77 76 75
I/O 8L
I/O 9L
I/O 10L
I/O 11L
I/O 12L
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GND
I/O 14L
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A 8L
A 7L
A 6L
A 5L
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
I/O 15L
V CC
GND
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V CC
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
I/O 6R
I/O 7R
I/O 8R
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IDT7026J
J84-1 (4)
84-Pin PLCC
Top View (5)
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A 0L
BUSY L
GND
M/ S
BUSY R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
A 5R
A 6R
A 7R
33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53
NOTES:
1. All Vcc pins must be connected to the power supply.
2. All GND pins must be connected to the ground supply.
3. Package body is approximately 1.15 in x 1.15 in x .17 in.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
6.42
2939 drw 02
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC65DRYN-S13 | CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND |
| AMC65DRYH-S13 | CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND |
| IDT70V07S55PF | IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP |
| AMC60DRAN | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
| AMC60DRAH | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT7026L25G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7026L25GB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA |
| IDT7026L25J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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