参数资料
型号: IDT7026L20J8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 13/18页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC
标准包装: 200
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K(16K x 16)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 84-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 84-PLCC(29.21x29.21)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 7026L20J8
IDT7026S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH ) (2,4,5)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
DATA IN "A"
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
t APS
(1)
MATCH
BUSY "B"
t BAA
t WDD
t BDA
t BDD
DATA OUT "B"
NOTES:
t DDD
(3)
VALID
2939 drw 12
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t APS is ignored for M/ S = V IL (slave).
2. CE L = CE R = V IL.
3. OE = V IL for the reading port.
4. If M/ S = V IL (slave), BUSY is an input. Then for this example BUSY "A" = V IH and BUSY "B" input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (M/ S = V IL )
t WP
R/ W "A"
t WB (3)
BUSY "B"
t WH
(1)
R/ W "B"
(2)
,
2939 drw 13
NOTES:
1. t WH must be met for both BUSY input (SLAVE) and output (MASTER).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. t WB is only for the “SLAVE” version.
13
6.42
相关PDF资料
PDF描述
AMC65DRYN-S13 CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND
AMC65DRYH-S13 CONN EDGECARD 130POS .100 EXTEND
IDT70V07S55PF IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP
AMC60DRAN CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP
AMC60DRAH CONN EDGECARD 120PS .100 R/A DIP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7026L20JI 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L20JI8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT7026L25G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT7026L25GB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PGA
IDT7026L25J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8