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参数资料
| 型号： | IDT7027S55PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7027S55PF |
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (1,6) (V CC = 5.0V ± 10%)
7027X15
Com'l Only
7027X20
Com'l
& Ind
7027X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
205
200
___
365
325
___
190
180
___
325
285
___
180
170
170
305
265
345
mA
L
___
___
180
335
___
___
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
Inputs)
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
65
65
___
110
90
___
50
50
___
90
70
___
40
40
40
85
60
100
mA
L
___
___
50
85
___
___
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
IND
S
L
S
130
130
___
245
215
___
115
115
___
215
185
___
105
105
105
200
170
230
mA
L
___
___
115
220
___
___
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports - All CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f MAX (3)
COM'L
IND
COM'L
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
___
___
120
120
___
___
15
5
___
___
220
190
___
___
1.0
0.2
___
0.2
110
110
___
110
15
5
___
10
190
160
___
195
1.0
0.2
1.0
___
100
100
100
___
15
5
30
___
170
145
200
___
mA
mA
3199 tbl 10a
7027X35
Com'l Only
7027X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I CC
Dynamic Operating Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
160
160
___
295
255
___
150
150
___
270
230
___
mA
L
___
___
___
___
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL Level
CE L = CE R = V IH
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
S
L
30
30
85
60
20
20
85
60
mA
Inputs)
IND
S
L
___
___
___
___
___
___
___
___
I SB2
Standby Current
(One Port - TTL Level
Inputs)
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
COM'L
IND
S
L
S
95
95
___
185
155
___
85
85
___
165
135
___
mA
L
___
___
___
___
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports - All CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V CC - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V CC - 0.2V
COM'L
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
___
___
90
90
15
5
___
___
160
135
1.0
0.2
___
___
80
80
15
5
___
___
135
110
mA
mA
V IN > V CC - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled
f = f MAX (3)
IND
S
L
___
___
___
___
___
___
___
___
3199 tbl 10b
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V CC = 5V, T A = +25°C, and are not production tested. I CCDC = 120mA (Typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/ t RC, and using “AC Test Conditions” of input
levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT7027S55PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7028L15PF | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT7028L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7028L15PFG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT7028L15PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP |
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