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参数资料
| 型号： | IDT7027S55PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 512KBIT 55NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 512K (32K x 16) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7027S55PF |
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (5)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
7027X15
Com'l Only
7027X20
Com'l
7027X25
Com'l
7027X35
Com'l Only
7027X55
Com'l Only
& Ind
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
35
____
55
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
30
____
45
____
ns
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time (3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
12
0
12
0
10
____
____
____
____
____
15
0
15
0
15
____
____
____
____
____
20
0
20
0
15
____
____
____
____
____
30
0
25
0
15
____
____
____
____
____
45
0
40
0
30
____
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
____
15
____
25
ns
Write Enable to Output in High-Z
t DH
t WZ
Data Hold Time (5)
(1,2)
0
____
____
10
0
____
____
12
0
____
____
15
0
____
____
15
0
____
____
25
ns
ns
t OW
t SWRD
t SPS
Output Active from End-of-Write
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
(1,2,5)
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
NOTES:
3199 tbl 13
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire t EW time. Refer to Chip Enable
Truth Table.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the RAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over voltage
and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
9
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