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参数资料
| 型号： | IDT7037L20PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 576KBIT 20NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 576K（32K x 18） |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7037L20PFI |
IDT7037L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (6)
7037L15
Com'l Only
7037L20
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Acce ss Time from Chip Enable Low
BUSY Acce ss Time from Chip Enable High
____
____
____
____
15
15
15
15
____
____
____
____
20
20
20
17
ns
ns
ns
ns
BUSY Disable to Valid Data
t APS
t BDD
t WH
Arbitration Priority Set-up Time
(3)
Write Hold After BUSY (5)
(2)
5
____
12
____
15
____
5
____
15
____
17
____
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
Write Hold After BUSY
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
(5)
0
12
____
____
0
15
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
t DDD
Write Pulse to Data Delay (1)
Write Data Valid to Read Data Delay (1)
____
____
30
25
____
____
45
30
ns
ns
NOTES:
4838 tbl 14
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of 0, t WDD – t WP (actual) or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. Industrial Temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
10
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PDF描述 |
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参数描述 |
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