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参数资料
| 型号： | IDT7038L15PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 15NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7038L15PF |
IDT7038L
High-Speed 64K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
5V
5V
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
DATA OUT
BUSY
893 ?
DATA OUT
893 ?
Output Reference Levels
1.5V
INT
347 ?
30pF
347 ?
5pF*
Output Load
Figures 1 and 2
4837 tbl 11
4837 drw 03
Figure 1. AC Output Test Load
4837 drw 04
Figure 2. Output Test Load
.
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
* Including scope and jig.
Waveform of Read Cycles (5)
t RC
ADDR
CE
(6)
(4)
t AA
(4)
t ACE
t AOE
(4)
OE
t ABE (4)
UB , LB
R/ W
DATA OUT
BUSY OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
(4)
t HZ
t OH
(2)
Timing of Power-Up Power-Down
(6)
CE
t BDD
(3,4)
4837 drw 05
I CC
t PU
50%
t PD
50%
I SB
4837 drw 06 .
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE , CE , LB or UB .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first CE , OE , LB or UB .
3. t BDD delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA or t BDD .
5. SEM = V IH .
6. Refer to Chip Enable Truth Table.
6
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