- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录328 > IDT7054L20G (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 32KBIT 20NS 108PGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7054L20G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 20NS 108PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 108-BSPGA |
| 供应商设备封装： | 108-PGA（30.48x30.48） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7054L20G |
IDT7054S/L
High-Speed 4K x 8 FourPort? Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 1, R/ W Controlled Timing (5,8)
t WC
ADDRESS
t AS
OE
(6)
CE
t AW
t WR
(3)
R/ W
t WP (2)
t HZ
(7)
DATA OUT
t LZ
(4)
t WZ (7)
t OW
(4)
t HZ
(7)
t DW
t DH
DATA IN
3241 drw 07
Timing Waveform of Write Cycle No. 2, CE Controlled Timing (1,5)
t WC
ADDRESS
t AW
CE
t AS
t EW
(6)
(2)
t WR
(3)
R/ W
t DW
t DH
DATA IN
3241 drw 08
NOTES:
1. R/ W or CE = V IH during all address transitions.
2. A write occurs during the overlap (t EW or t WP ) of a CE = V IL and a R/ W = V IL .
3. t WR is measured from the earlier of CE or R/ W = V IH to the end of write cycle.
4. During this period, the I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
5. If the CE LOW transition occurs simultaneously with or after the R/ W = V IL transition, the outputs remain in the High-impedance state.
6. Timing depends on which enable signal is asserted last, CE or R/ W .
7. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2). This parameter is guaranteed but is not production tested.
8. If OE = V IL during a R/ W controlled write cycle, the write pulse width must be the larger of t WP or (t WZ + t DW ) to allow the I/O drivers to turn off data to be placed
on the bus for the required t DW . If OE = V IH during an R/ W controlled write cycle, this requirement does not apply and the write pulse can be as short as the
specified t WP .
9
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT709089L9PF | IC SRAM 512KBIT 9NS 100TQFP |
| IDT709099L9PFI | IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP |
| IDT709149S10PFI | IC SRAM 36KBIT 10NS 80TQFP |
| IDT70914S12PF | IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP |
| IDT709169L7BFI | IC SRAM 144KBIT 7NS 100FBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7054L20PRF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7054L20PRF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 20NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7054L25G | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 108PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7054L25PRF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7054L25PRF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。