参数资料
型号: IDT70T3319S133BCI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 19/27页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA
标准包装: 1,000
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 4.5M(256K x 18)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 70T3319S133BCI8
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of Interrupt Timing
CLK L
(2)
R/ W L
t SW
t SA
t HW
t HA
ADDRESS
CE
L (3)
L (1)
7FFFF
t SC
t HC
t INS
INT R
CLK R
CE R (1)
R/ W R
t SC
t SW
t SA
t HC
t HW
t HA
t INR
ADDRESS R (3)
NOTES:
1. CE 0 = V IL and CE 1 = V IH
7FFFF
5652 drw 19
2. All timing is the same for Left and Right ports.
3. Address is for internal register, not the external bus, i.e., address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
Truth Table III — Interrupt Flag (1)
Left Port
Right Port
R/ W R
CLK L
R/ W L
(2)
CE L
(2)
A 18L -A 0L
(3,4,5)
INT L
CLK R
(2)
CE R (2)
A 18R -A 0R (3,4,5)
INT R
Function
L
X
X
H
L
X
X
L
7FFFF
X
X
7FFFE
X
X
L
H
X
H
L
X
X
L
L
X
X
7FFFF
7FFFE
X
L
H
X
X
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES:
1. INT L and INT R must be initialized at power-up by Resetting the flags.
2. CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . R/ W and CE are synchronous with respect to the clock and need valid set-up and hold times.
3. A18 X is a NC for IDT70T3319, therefore Interrupt Addresses are 3FFFF and 3FFFE.
4. A18 X and A17 X are NC's for IDT70T3399, therefore Interrupt Addresses are 1FFFF and 1FFFE.
5. Address is for internal register, not the external bus, i.e., address needs to be qualified by one of the Address counter control signals.
19
6.42
5652 tbl 12
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V3589S166BFG IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA
MPC862TZQ100B IC MPU PWRQUICC 100MHZ 357-PBGA
IDT70V3589S166BF IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA
IDT70V3399S166BF IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA
IDT70V3589S166BC IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T3319S133BF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3319S133BF8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3319S133BFGI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3319S133BFGI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3319S133BFI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)