- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3967 > IDT70T3319S133BCI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3319S133BCI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3319S133BCI8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 2.5V ± 100mV)
70T3339/19/99
S200
Com'l Only (8)
70T3339/19/99
S166
Com'l
& Ind (7)
70T3339/19/99
S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
375
525
320
450
260
370
Current (Both
Outputs Disabled,
mA
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
___
___
320
510
260
450
I SB1 (6)
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
205
270
175
230
140
190
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
175
275
140
235
I SB2 (6)
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
COM'L
S
300
375
250
325
200
250
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
mA
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
___
___
250
365
200
310
I SB3
Full Standby Current
Both Ports CE L and
COM'L
S
5
15
5
15
5
15
(Both Ports - CMOS
CE R > V DDQ - 0.2V, V IN > V DDQ - 0.2V
mA
Level Inputs)
or V IN < 0.2V, f = 0 (2)
IND
S
___
___
5
20
5
20
I SB4 (6)
Full Standby Current
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
COM'L
S
300
375
250
325
200
250
(One Port - CMOS
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V
mA
Level Inputs)
Active Port, Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
___
___
250
365
200
310
Izz
Sleep Mode Current
ZZ L = ZZ R = V IH
COM'L
S
5
15
5
15
5
15
(Both Ports - TTL
f=f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
5
20
5
20
NOTES:
5652 tbl 09
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 2.5V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 15mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQ - 0.2V
CE X > V DDQ - 0.2V means CE 0X > V DDQ - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I SB1 , I SB2 and I SB4 will all reach full standby levels (I SB3 ) on the appropriate port(s) if ZZ L and/or ZZ R = V IH .
7. 166MHz I-Temp is not available in the BF-208 package.
8. 200Mhz is not available in the BF-208 package.
9
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3589S166BFG | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA |
| MPC862TZQ100B | IC MPU PWRQUICC 100MHZ 357-PBGA |
| IDT70V3589S166BF | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA |
| IDT70V3399S166BF | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA |
| IDT70V3589S166BC | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3319S133BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。