- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3967 > IDT70T3319S133BCI8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3319S133BCI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3319S133BCI8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页当前第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Timing Waveform - Entering Sleep Mode (1,2)
R/ W
(3)
Timing Waveform - Exiting Sleep Mode (1,2)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
R/ W
OE
(5)
An
(5)
An+1
DATA OUT
Dn
Dn+1
(4)
NOTES:
1. CE 1 = V IH.
2. All timing is same for Left and Right ports.
3. CE 0 has to be deactivated ( CE 0 = V IH ) three cycles prior to asserting ZZ (ZZx = V IH ) and held for two cycles after asserting ZZ (ZZx = V IH ).
4. CE 0 has to be deactivated ( CE 0 = V IH ) one cycle prior to de-asserting ZZ (ZZx = V IL ) and held for three cycles after de-asserting ZZ (ZZx = V IL ).
5. The device must be in Read Mode (R/ W High) when exiting sleep mode. Outputs are active but data is not valid until the following cycle.
21
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3589S166BFG | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA |
| MPC862TZQ100B | IC MPU PWRQUICC 100MHZ 357-PBGA |
| IDT70V3589S166BF | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA |
| IDT70V3399S166BF | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 208FBGA |
| IDT70V3589S166BC | IC SRAM 2MBIT 166MHZ 256BGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3319S133BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BFGI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3319S133BFI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。