参数资料
型号: IDT70T3319S133DD
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 13/27页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP
产品变化通告: Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 4.5M(256K x 18)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 144-LQFP 裸露焊盘
供应商设备封装: 144-TQFP(20x20)
包装: 托盘
其它名称: 70T3319S133DD
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read (1,2)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B1)
t SC
t HC
DATA OUT(B1)
t CD2
Q 0
t CD2
Q 1
t CKHZ
t CD2
Q 3
t SA
t HA
t DC
t DC
t CKLZ
t CKHZ
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD2
t CKHZ
t CD2
DATA OUT(B2)
t CKLZ
Q 2
t CKLZ
Q 4
,
5652 drw 07
Timing Waveform of a Multi-Device Flow-Through Read (1,2)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t H
ADDRESS (B1)
A
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC t HC
t SC t HC
t CD1
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CD1
DATA OUT(B1)
D 0
t DC
D 1
t DC
t CKLZ
(1)
D 3
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
D 5
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC t HC
CE 0(B2)
t SC t HC
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CKHZ
(1)
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(1)
D 2
t CKLZ
(1)
D 4
,
5652 drw 08
NOTES:
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70T3339/19/99 for this waveform,
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. UB , LB , OE , and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W , CNTEN , and REPEAT = V IH .
13
6.42
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