- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3955 > IDT70T3339S133BC (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3339S133BC |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T3339S133BC |
当前第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页
HIGH-SPEED 2.5V
512/256/128K X 18
SYNCHRONOUS
IDT70T3339/19/99S
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
Features:
◆
access of the same memory location
– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data,
and address inputs @ 200MHz
– Self-timed write allows fast cycle time
◆
◆
◆
◆
◆
◆
High-speed data access
– Commercial: 3.4 (200MHz)/3.6ns (166MHz)/
4.2ns (133MHz)(max.)
– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Interrupt and Collision Detection Flags
Full synchronous operation on both ports
– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)
– Fast 3.4ns clock to data out
– Data input, address, byte enable and control registers
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output Mode
2.5V (±100mV) power supply for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 166MHz and 133MHz
Available in a 256-pin Ball Grid Array (BGA) and 208-pin fine
pitch Ball Grid Array (fpBGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Green parts available, see ordering information
Functional Block Diagram
UB L
LB L
UB R
LB R
FT /PIPE L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT /PIPE R
R/ W L
R/ W R
CE 0L
CE 1L
1
0
B B
W W
B B
W W
1
0
CE 0R
CE 1R
0 1
1 0
OE L
1/0
1b 0b 1a 0a
L L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
R R
Dout0-8_R
Dout9-17_R
0a 1a 0b
1/0
OE R
,
FT /PIPE L
0/1
ab
512/256/128K x 18
1b
ba
0/1
FT /PIPE R
MEMORY
ARRAY
CLK L
A 18L (1)
I/O 0L - I/O 17L
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 17R
A 18R (1)
CLK R
,
A 0L
REPEAT L
ADS L
CNTEN L
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A 0R
REPEAT R
ADS R
CNTEN R
TDI
TCK
CE 0 L
CE1L
R/ W L
INTERRUPT
COLLISION
DETECTION
LOGIC
R/ W R
CE 0 R
CE1R
TDO
JTAG
TMS
TRST
COL L
INT L
COL R
INT R
ZZ L
(2)
ZZ
CONTROL
ZZ R
(2)
5652 drw 01
LOGIC
NOTES:
1. Address A 18 is a NC for the IDT70T3319. Also, Addresses A 18 and A 17 are NC's for the IDT70T3399.
2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. All static inputs, i.e., PL/ FT x and
OPTx and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
1
?2010 Integrated Device Technology, Inc.
APRIL 2010
DSC-5652/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V5378S100BC | IC SRAM 576KBIT 100MHZ 256BGA |
| IDT70V659S10DR | IC SRAM 4MBIT 10NS 208QFP |
| IDT70V631S10PRF | IC SRAM 4MBIT 10NS 128TQFP |
| IDT70V3599S166DR | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208QFP |
| IDT70V3319S166PRF | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3339S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3339S133BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3339S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3339S133BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3339S133BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。