参数资料
型号: IDT70T3339S133BC
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 24/27页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 9M(512K x 18)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 托盘
其它名称: 70T3339S133BC
IDT70T3339/19/99S
High-Speed 2.5V 512/256/128K x 18 Dual-Port Static RAM
JTAG Timing Specifications
t JCYC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
t JF
t JCL
t JR
t JCH
TCK
Device Inputs (1) /
TDI/TMS
Device Outputs (2) /
t JS
t JH
t JDC
TDO
TRST
t JRSR
t JCD
,
5652 drw 24
t JRST
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, and TRST.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
JTAG AC Electrical
Characteristics (1,2,3,4)
70T3339/19/99
3
3
Symbol
t JCYC
t JCH
t JCL
t JR
t JF
t JRST
t JRSR
t JCD
t JDC
t JS
t JH
Parameter
JTAG Clock Input Period
JTAG Clock HIGH
JTAG Clock Low
JTAG Clock Rise Time
JTAG Clock Fall Time
JTAG Reset
JTAG Reset Recovery
JTAG Data Output
JTAG Data Output Hold
JTAG Setup
JTAG Hold
Min.
100
40
40
____
____
50
50
____
0
15
15
Max.
____
____
____
(1)
(1)
____
____
25
____
____
____
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5652 tbl 15
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
6.42
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