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参数资料
型号： IDT70V3599S166DR
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 1/23页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 4MBIT 166MHZ 208QFP
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 4.5M（128K x 36）
速度： 166MHz
接口： 并联
电源电压： 3.15 V ~ 3.45 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 208-BFQFP
供应商设备封装： 208-PQFP（28x28）
包装： 托盘
其它名称： 70V3599S166DR
HIGH-SPEED 3.3V
128/64K x 36
Features:
SYNCHRONOUS
DUAL-PORT STATIC RAM
WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V3599/89S
◆
◆
◆
◆
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed data access
– Commercial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)
– Industrial: 4.2ns (133MHz) (max.)
Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
Counter enable and repeat features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 6ns cycle time, 166MHz operation (12Gbps bandwidth)
– Fast 3.6ns clock to data out
– 1.7ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and
address inputs @ 166MHz
– Data input, address, byte enable and control registers
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Dual Cycle Deselect (DCD) for Pipelined Output mode
LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply
for core
LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V
(±100mV) power supply for I/Os and control signals on
each port
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is
available at 133MHz.
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),
208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball
Grid Array (BGA)
Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1
Green parts available, see ordering information
– Self-timed write allows fast cycle time
Functional Block Diagram
BE 3L
BE 2L
BE 1L
BE 0L
BE 3R
BE 2R
BE 1R
BE 0R
FT /PIPE L
1/0
0a 1a
a
0b 1b
b
0c 1c
c
0d 1d
d
1d 0d
d
1c 0c
c
1b 0b
b
1a 0a
a
1/0
FT /PIPE R
R/ W L
CE 0L
R/ W R
CE 0R
CE 1L
1
0
1
0
CE 1R
OE L
1/0
B
W
0
L
B
W
1
L
B B B
W W W
2 3 3
L L R
B
W
2
R
B B
W W
1 0
R R
1 /0
OE R
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout18-26_L
Dout27-35_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
Dout18-26_R
Dout27-35_R
1d 0d
1c 0c 1b 0b 1a 0a
0a 1a 0b 1b
0c 1c 0d 1d
FT /PIPE L
0/1
a b cd
d cba
0/1
FT /PIPE R
128K x 36
MEMORY
ARRAY
I/O 0L - I/O 35 L
CLK L
A 16L (1)
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 35R
A 16R (1)
CLK R
,
A 0L
REPEAT L
ADS L
CNTEN L
Counter/
Address
Reg.
ADDR_L
ADDR_R
Counter/
Address
Reg.
A 0R
REPEAT R
ADS R
CNTEN R
5617 tbl 01
TDI
TCK
NOTE:
1. A 16 is a NC for IDT70V3589.
TDO
JTAG
TMS
TRST
JULY 2010
1
?2010 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 5617/9
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V3319S166PRF IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP
356-006-525-101 CARDEDGE 6POS .156 BLACK
356-006-521-104 CARDEDGE 6POS .156 BLACK
356-006-521-102 CARDEDGE 6POS .156 BLACK
1-84953-8 CONN FPC 18POS 1MM RT ANG SMD
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V3599S166DRG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 4.5MBIT 166MHZ 208PQFP
IDT70V35L15PF 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V35L15PF8 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V35L15PFG 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V35L15PFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 144KBIT 15NS 100TQFP
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