- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3954 > IDT70T3519S200BC8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T3519S200BC8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T3519S200BC8 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页当前第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
AC Test Conditions (V DDQ - 3.3V/2.5V)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels (Address & Controls)
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3 . 0V/GND to 2.4V
GND to 3.0V/GND to 2.4V
2ns
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figure 1
5666 tbl 10
DATA OUT
50 Ω
50 Ω
1.5V/1.25
,
10pF
Δ tCD
(Typical, ns)
(Tester)
Figure 1. AC Output Test load.
Δ Capacitance (pF) from AC Test Load
11
6.42
5666 drw 03
5666 drw 04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 346-012-522-201 | CARDEDGE 12POS DUAL .125 GREEN |
| 346-012-521-804 | CARDEDGE 12POS DUAL .125 GREEN |
| 346-012-521-802 | CARDEDGE 12POS DUAL .125 GREEN |
| IDT70T651S12BFI8 | IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA |
| 501951-4500 | CONN FPC/FFC 45POS .5MM VERT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T3519S200BCG | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3539MS133BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) 其它名称:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT70T3539MS133BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T3539MS133BCG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
| IDT70T3539MS133BCGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。