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参数资料
型号： IDT70T3539MS166BCG
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 12/26页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 18MBIT 166MHZ 256BGA
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，同步
存储容量： 18M（512K x 36）
速度： 166MHz
接口： 并联
电源电压： 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 256-LBGA
供应商设备封装： 256-CABGA（17x17）
包装： 托盘
其它名称： 70T3539MS166BCG
IDT70T3539M
High-Speed 2.5V 512K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of a Multi-Device Pipelined Read (1,2)
t CYC2
CLK
t CH2
t CL2
t SA
t HA
ADDRESS (B1)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B1)
t SC
t HC
DATA OUT(B1)
t CD2
Q 0
t CD2
Q 1
t CKHZ
t CD2
Q 3
t SA
t HA
t DC
t DC
t CKLZ
t CKHZ
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC
t HC
CE 0(B2)
t SC
t HC
t CD2
t CKHZ
t CD2
DATA OUT(B2)
t CKLZ
Q 2
t CKLZ
Q 4
,
5678 drw 07
Timing Waveform of a Multi-Device Flow-Through Read (1,2)
t CYC1
CLK
t CH1
t CL1
t SA
t H
ADDRESS (B1)
A
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
CE 0(B1)
t SC t HC
t SC t HC
t CD1
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CD1
DATA OUT(B1)
D 0
t DC
D 1
t DC
t CKLZ
(1)
D 3
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
D 5
t SA
t HA
ADDRESS (B2)
A 0
A 1
A 2
A 3
A 4
A 5
A 6
t SC t HC
CE 0(B2)
t SC t HC
t CD1
t CKHZ
(1)
t CD1
t CKHZ (1)
DATA OUT(B2)
t CKLZ
(1)
D 2
t CKLZ
(1)
D 4
,
5678 drw 08
NOTES:
1. B1 Represents Device #1; B2 Represents Device #2. Each Device consists of one IDT70T3539M for this waveform,
and are setup for depth expansion in this example. ADDRESS (B1) = ADDRESS (B2) in this situation.
2. BE n , OE , and ADS = V IL ; CE 1(B1) , CE 1(B2) , R/ W , CNTEN , and REPEAT = V IH .
12
6.42
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PDF描述
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参数描述
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IDT70T3589S133BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BCI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3589S133BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
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