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参数资料
型号： IDT70T633S10BCI
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 1/27页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
标准包装： 6
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 9M（512K x 18）
速度： 10ns
接口： 并联
电源电压： 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 256-LBGA
供应商设备封装： 256-CABGA（17x17）
包装： 托盘
其它名称： 70T633S10BCI
HIGH-SPEED 2.5V
IDT70T633/1S
Features
Full hardware support of semaphore signaling between
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
Fully asynchronous operation from either port
High-speed access
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 10/12ns (max.)
Sleep Mode Inputs on both ports
RapidWrite Mode simplifies high-speed consecutive write
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1 in
cycles
Dual chip enables allow for depth expansion without
Single 2.5V (±100mV) power supply for core
external logic
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
IDT70T633/1 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
Available in a 256-ball Ball Grid Array and 208-ball fine pitch
than one device
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master,
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
Busy and Interrupt Flags
Green parts available, see ordering information
On-chip port arbitration logic
512/256K x 18
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
◆
◆
ports on-chip
◆
◆
◆
matching compatibility
◆
◆
◆
◆ BGA-208 and BGA-256 packages
◆
◆
◆
power supply for I/Os and control signals on each port
◆
◆ Ball Grid Array
◆
◆ for selected speeds
◆
◆
Functional Block Diagram
U B L
LB L
R/ W L
UB R
LB R
R/ W R
B
E
B
E
B
E
B
E
C E 0L
0
L
1
L
1
R
0
R
C E 0R
CE 1L
OE L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
CE 1R
OE R
512/256K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O 0L - I/O 17L
Din_L
Din_R
I/O 0R - I/O 17R
A 18L (1)
A 0L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A 18R (1)
A 0R
TDI
TCK
C E 0L
CE 1L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
OE R
R/ W R
C E 0R
CE 1R
TDO
JTAG
TMS
T R ST
B U S Y L(2,3)
B U S Y R(2,3)
S EM L
INT L(3)
M/ S
SEM R
IN T R(3)
ZZ L
NOTES:
(4)
ZZ
CONTROL
ZZ R
(4)
1. Address A 18 x is a NC for IDT70T631.
LOGIC
2. BUSY is an input as a Slave (M/ S =V IL ) and an output when it is a Master (M/ S =V IH ).
5670 drw 01
3
BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
4. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INT x, M/ S and the
sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected during sleep mode.
1
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
JUNE 2012
DSC-5670/9
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PDF描述
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参数描述
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IDT70T633S10BF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T633S10BFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA
IDT70T633S10BFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA
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