- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70T633S10BCI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70T633S10BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 25/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T633S10BCI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页当前第25页第26页第27页
IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Identification Register Definitions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Instruction Field
Revision Number (31:28)
Value
0x0
Reserved for version number
Description
IDT Device ID (27:12)
0x33B
(1)
Defines IDT part number 70T633
IDT JEDEC ID (11:1)
ID Register Indicator Bit (Bit 0)
NOTE:
1. Device ID for IDT70T631 is 0x33C.
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction (IR)
Bypass (BYR)
Identification (IDR)
Boundary Scan (BSR)
0x33
1
Bit Size
4
1
32
Note (3)
Allows unique identification of device vendor as IDT
Indicates the presence of an ID register
5670 tbl 21
5670 tbl 22
System Interface Parameters
Instruction
EXTEST
BYPASS
IDCODE
HIGHZ
CLAMP
SAMPLE/PRELOAD
RESERVED
NOTES:
Code
0000
1111
0010
0100
0011
0001
All other codes
Description
Forces contents of the boundary scan cells onto the device outputs (1) .
Places the boundary scan register (BSR) between TDI and TDO.
Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO.
Loads the ID register (IDR) with the vendor ID code and places the
register between TDI and TDO.
Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO. Forces all
device output drivers to a High-Z state.
Uses BYR. Forces contents of the boundary scan cells onto the device
outputs. Places the bypass register (BYR) between TDI and TDO.
Places the boundary scan register (BSR) between TDI and TDO.
SAMPLE allows data from device inputs (2) and outputs (1) to be captured
in the boundary scan cells and shifted serially through TDO. PRELOAD
allows data to be input serially into the boundary scan cells via the TDI.
Several combinations are reserved. Do not use codes other than those
identified above.
5670 tbl 23
1. Device outputs = All device outputs except TDO.
2. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, and TRST .
3. The Boundary Scan Descriptive Language (BSDL) file for this device is available on the IDT website (www.idt.com), or by contacting your local
IDT sales representative.
25
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T651S12DRI | IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP |
| IDT70T653MS12BCI | IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA |
| IDT70V05L55G | IC SRAM 64KBIT 55NS 68PGA |
| IDT70V06L55G | IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA |
| IDT70V07L35G | IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T633S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S10BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S10BFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA |
| IDT70T633S10BFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。