参数资料
型号: IDT70T633S10BCI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 26/27页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 9M(512K x 18)
速度: 10ns
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 256-LBGA
供应商设备封装: 256-CABGA(17x17)
包装: 托盘
其它名称: 70T633S10BCI
IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Ordering Information
NOTES:
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26
Industrial and Commercial Temperature Ranges
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PDF描述
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参数描述
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IDT70T633S10BF 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T633S10BF8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T633S10BFG 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA
IDT70T633S10BFG8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA