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参数资料
| 型号： | IDT70T633S10BCI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 19/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 256-LBGA |
| 供应商设备封装： | 256-CABGA（17x17） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T633S10BCI |
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IDT70T633/1S
High-Speed 2.5V 512/256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
Industrial and Commercial Temperature Ranges
ADDR "A"
CE "A"(3)
R/ W "A"
t AS (4)
(2)
INTERRUPT SET ADDRESS
t WR (5)
t INS
(4)
INT "B"
.
5670 drw 18
t RC
ADDR "B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(4)
t AS
(2)
CE "B"(3)
OE "B"
t INR (4)
INT "B"
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. Refer to Interrupt Truth Table.
3. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH . CE X = V IH means CE 0X = V IH and/or CE 1X = V IL .
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
5. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
Truth Table III — Interrupt Flag (1,4)
Left Port
Right Port
5670 drw 19
.
H
L
H
R/ W L
L
X
X
X
CE L
L
X
X
L
OE L
X
X
X
L
A 18L -A 0L (5)
7FFFF
X
X
7FFFE
INT L
X
X
(3)
(2)
R/ W R
X
X
L
X
CE R
X
L
L
X
OE R
X
L
X
X
A 18R -A 0R (5)
X
7FFFF
7FFFE
X
INT R
L (2)
(3)
X
X
Function
Set Right INT R Flag
Reset Right INT R Flag
Set Left INT L Flag
Reset Left INT L Flag
NOTES:
1. Assumes BUSY L = BUSY R =V IH . CE X = L means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH .
2. If BUSY L = V IL , then no change.
3. If BUSY R = V IL , then no change.
4. INT L and INT R must be initialized at power-up.
5. A 18x is a NC for IDT70T631. Therefore, Interrupt Addresses are 3FFFF and 3FFFE.
19
5670 tbl 17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70T633S10BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S10BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70T633S10BFG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA |
| IDT70T633S10BFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 9MBIT 10NS 208FPBGA |
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