参数资料
型号: IDT70T3719MS133BBG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/25页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 18MBIT 133MHZ 324BGA
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 18M(256K x 72)
速度: 133MHz
接口: 并联
电源电压: 2.4 V ~ 2.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 324-BGA
供应商设备封装: 324-PBGA(19x19)
包装: 托盘
其它名称: 70T3719MS133BBG
IDT70T3719/99M
High-Speed 2.5V 256/128K x 72 Dual-Port Synchronous Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 2.5V ± 100mV)
70T3719/99M
S166
Com'l
Only
70T3719/99M
S133
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
640
900
520
740
Current (Both
Outputs Disabled,
mA
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
___
___
520
900
I SB1 (6)
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
350
460
280
380
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
280
470
I SB2 (6)
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH (5)
COM'L
S
500
650
400
500
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
mA
Level Inputs)
f=f MAX (1)
IND
S
___
___
400
620
I SB3
Full Standby Current
Both Ports CE L and
COM'L
S
12
20
12
20
(Both Ports - CMOS
CE R > V DDQ - 0.2V, V IN > V DDQ - 0.2V
mA
Level Inputs)
or V IN < 0.2V, f = 0 (2)
IND
S
___
___
12
25
I SB4 (6)
Full Standby Current
CE "A" < 0.2V and CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
COM'L
S
500
650
400
500
(One Port - CMOS
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V
mA
Level Inputs)
Active Port, Outputs Disabled, f = f MAX (1)
IND
S
___
___
400
620
Izz
Sleep Mode Current
ZZ L = ZZ R = V IH
COM'L
S
12
20
12
20
(Both Ports - TTL
f=f MAX (1)
mA
Level Inputs)
IND
S
___
___
12
25
5687 tbl 10
NOTES:
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency clock cycle of 1/t CYC , using "AC TEST CONDITIONS".
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 2.5V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 30mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DD - 0.2V
CE X > V DD - 0.2V means CE 0X > V DD - 0.2V or CE 1X - 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I SB1 , I SB2 and I SB4 will all reach full standby levels ( I SB3) on the appropriate port(s) if ZZ L and/or ZZ R = V IH .
8
6.42
相关PDF资料
PDF描述
IDT70V5388S166BC8 IC SRAM 1.125MBIT 166MHZ 256BGA
KMPC8313EZQAFFB IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA
IDT70V5388S133BC IC SRAM 1.125MBIT 133MHZ 256BGA
IDT70V5378S200BG8 IC SRAM 576KBIT 200MHZ 272BGA
KMPC8313EZQADDB IC MPU POWERQUICC II 516-PBGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70T3719MS166BBG 功能描述:IC SRAM 18MBIT 166MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3799MS133BBG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3799MS133BBGI 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T3799MS166BBG 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 324BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
IDT70T631S10BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)