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参数资料
| 型号： | IDT70T651S12DRI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 12NS 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 9M（256K x 36） |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70T651S12DRI |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range
Symbol
Parameter
70T651/9S8 (6)
Com'l Only
70T651/9S10
Com'l
& Ind (6)
70T651/9S12
Com'l
& Ind
70T651/9S15
Com'l Only
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
BUSY TIMING (M/ S =V IH )
BUSY Disable to Valid Data
t BAA
t BDA
t BAC
t BDC
t APS
t BDD
BUSY Access Time from Address Match
BUSY Disable Time from Address Not Matched
BUSY Access Time from Chip Enable Low
BUSY Disable Time from Chip Enable High
Arbitration Priority Set-up Time (2)
(3)
____
____
____
____
2.5
____
8
8
8
8
____
8
____
____
____
____
2.5
____
10
10
10
10
____
10
____
____
____
____
2.5
____
12
12
12
12
____
12
____
____
____
____
2.5
____
15
15
15
15
____
15
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t WH
Write Hold After BUSY
(5)
6
____
7
____
9
____
12
____
ns
BUSY TIMING (M/ S =V IL )
t WB
t WH
BUSY Input to Write (4)
Write Hold After BUSY (5)
0
6
____
____
0
7
____
____
0
9
____
____
0
12
____
____
ns
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t WDD
t DDD
Write Pulse to Data Delay (1)
Write Data Valid to Read Data Delay (1)
____
____
12
12
____
____
14
14
____
____
16
16
____
____
20
20
ns
ns
NOTES:
5632 tbl 15
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (M/ S = V IH )".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t BDD is a calculated parameter and is the greater of the Max. spec, t WDD – t WP (actual), or t DDD – t DW (actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. 8ns Commercial and 10ns Industrial speed grades are available in BF-208 and BC-256 packages only.
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (1,2,3)
Symbol
Parameter
70T651/9S8 (4)
Com'l Only
70T651/9S10
Com'l
& Ind (4)
70T651/9S12
Com'l
& Ind
70T651/9S15
Com'l Only
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
SLEEP MODE TIMING (ZZx=V IH )
t ZZS
t ZZR
t ZZPD
t ZZPU
Sleep Mode Set Time
Sleep Mode Reset Time
Sleep Mode Power Down Time (5)
Sleep Mode Power Up Time (5)
8
8
8
____
____
____
____
0
10
10
10
____
____
____
____
0
12
12
12
____
____
____
____
0
15
15
15
____
____
____
____
0
NOTES:
5632 tbl 15a
1. Timing is the same for both ports.
2. The sleep mode pin shuts off all dynamic inputs, except JTAG inputs, when asserted. OPTx, INT x, M/ S and the sleep mode pins themselves (ZZx) are not affected
during sleep mode. It is recommended that boundary scan not be operated during sleep mode.
3. These values are valid regardless of the power supply level selected for I/O and control signals (3.3V/2.5V). See page 6 for details.
4. 8ns Commercial and 10ns Industrial speed grades are available in BF-208 and BC-256 packages only.
5. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
17
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PDF描述 |
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参数描述 |
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