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参数资料
| 型号： | IDT70T659S10BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 11/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T659S10BF8 |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
70T651/9S8 (5)
Com'l Only
70T651/9S10
Com'l
& Ind (5)
70T651/9S12
Com'l
& Ind
70T651/9S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
8
____
____
8
10
____
____
10
12
____
____
12
15
____
____
15
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
8
____
10
____
12
____
15
ns
t ABE
t AOE
t OH
t LZ
Byte Enable Access Time (3)
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time Chip Enable and Semaphore (1,2)
____
____
3
3
4
4
____
____
____
____
3
3
5
5
____
____
____
____
3
3
6
6
____
____
____
____
3
3
7
7
____
____
ns
ns
ns
ns
t LZOB
Output Low-Z Time Output Enable and Byte Enable
(1,2)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
0
3.5
0
4
0
6
0
8
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time (2)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
7
____
8
____
8
____
12
ns
t SOP
t SAA
t SOE
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
Semaphore Output Enable Access Time
____
2
____
4
8
5
____
2
____
4
10
5
____
2
____
6
12
6
____
2
____
8
15
7
ns
ns
ns
5632tbl 12
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (4)
70T651/9S8 (5)
Com'l Only
70T651/9S10
Com'l
& Ind (5)
70T651/9S12
Com'l
& Ind
70T651/9S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
8
____
10
____
12
____
15
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
6
____
7
____
9
____
12
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t AW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t WZ
t OW
t SWRD
t SPS
Address Valid to End-of-Write
Address Set-up Time (3)
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Data Hold Time
(1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2)
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
6
0
6
0
4
0
____
3
4
4
____
____
____
____
____
____
3.5
____
____
____
7
0
7
0
5
0
____
3
5
5
____
____
____
____
____
____
4
____
____
____
9
0
9
0
7
0
____
3
5
5
____
____
____
____
____
____
6
____
____
____
12
0
12
0
10
0
____
3
5
5
____
____
____
____
____
____
8
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5632 tbl 13
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 1).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . Either condition must be valid for the entire t EW time. CE = V IL when
CE 0 = V IL and CE 1 = V IH . CE = V IH when CE 0 = V IH and/or CE 1 = V IL .
4. These values are valid regardless of the power supply level selected for I/O and control signals (3.3V/2.5V). See page 6 for details.
5. 8ns Commercial and 10ns Industrial speed grades are available in BF-208 and BC-256 packages only.
11
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