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参数资料
| 型号： | IDT70T659S10BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 9/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T659S10BF8 |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 2.5V ± 100mV)
70T651/9S
JTAG & ZZ Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LI |
|I LO |
V OL (3.3V)
Parameter
Input Leakage Current (1)
(1,3)
Output Low Voltage (1)
(1,2)
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
V DD = Max. , V IN = 0V to V DD
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
Min.
___
___
___
___
Max.
10
+30
10
0.4
Unit
μA
μA
μA
V
V OH (3.3V)
Output High Voltage
(1)
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
2.4
___
V
V OL (2.5V)
V OH (2.5V)
Output Low Voltage (1)
Output High Voltage (1)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
___
2.0
0.4
___
V
V
NOTES:
1. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to page 6 for details.
2. Applicable only for TMS, TDI and TRST inputs.
3. Outputs tested in tri-state mode.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (3) (V DD = 2.5V ± 100mV)
5632 tbl 09
70T651/9S8 (7)
Com'l Only
70T651/9S10
Com'l
& Ind (7)
70T651/9S12
Com'l
& Ind
70T651/9S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Typ. (4)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
CE L and CE R = V IL ,
COM'L
S
350
475
300
405
300
355
225
305
mA
Current (Both
Outputs Disabled
Ports Active)
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
300
445
300
395
____
____
I SB1
(6)
Standby Current
CE L = CE R = V IH
COM'L
S
115
140
90
120
75
105
60
85
mA
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
Level Inputs)
IND
S
____
____
90
145
75
130
____
____
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH
I SB2 (6)
Standby Current
(5)
COM'L
S
240
315
200
265
180
230
150
200
mA
(One Port - TTL
Active Port Outputs Disabled,
Level Inputs)
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
200
290
180
255
____
____
I SB3
I SB4 (6)
Full Standby Current
(Both Ports - CMOS
Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port - CMOS
Both Ports CE L and
CE R > V DDQ - 0.2V,
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
f = 0 (2)
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DDQ - 0.2V (5)
COM'L
IND
COM'L
S
S
S
2
____
240
10
____
315
2
2
200
10
20
265
2
2
180
10
20
230
2
____
150
10
____
200
mA
mA
Level Inputs)
V IN > V DDQ - 0.2V or V IN < 0.2V,
Active Port, Outputs Disabled,
f = f MAX (1)
IND
S
____
____
200
290
180
255
____
____
I ZZ
Sleep Mode Current
ZZ L = ZZ R = V IH
COM'L
S
2
10
2
10
2
10
2
10
mA
(Both Ports - TTL
f = f MAX (1)
Level Inputs)
IND
S
____
____
2
20
2
20
____
____
NOTES:
5632 tbl 10
1. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 3.3V.
2. f = 0 means no address or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
4. V DD = 3.3V, T A = 25°C for Typ, and are not production tested. I DD DC (f=0) = 100mA (Typ).
5. CE X = V IL means CE 0X = V IL and CE 1X = V IH
CE X = V IH means CE 0X = V IH or CE 1X = V IL
CE X < 0.2V means CE 0X < 0.2V and CE 1X > V DDQX - 0.2V
CE X > V DDQX - 0.2V means CE 0X > V DDQX - 0.2V or CE 1X < 0.2V.
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
6. I SB1 , I SB2 and I SB4 will all reach full standby levels (I SB3 ) on the appropriate port(s) if ZZ L and /or ZZ R = V IH .
7. 8ns Commercial and 10ns Industrial speed grades are available in BF-208 and BC-256 packages only.
9
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