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参数资料
| 型号： | IDT70T659S10BF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 24/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 10ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.4 V ~ 2.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70T659S10BF8 |
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IDT70T651/9S
High-Speed 2.5V 256/128K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
24
Industrial and Commercial Temperature Ranges
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PDF描述 |
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