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参数资料
| 型号： | IDT70T9169L9PF |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 16K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| 封装： | TQFP-100 |
| 文件页数： | 12/16页 |
| 文件大小： | 199K |
| 代理商： | IDT70T9169L9PF |
6.42
IDT70T9169/59L
High-Speed 2.5V 16/8K x 9 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
Preliminary
%-=@A%&&*+AA-AA*+
OE
73
(
"
"
%-=@A%&&*+AA-AA*+
OE
+"
"
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance is determned by the previous cycle control signals.
3.
CE
0
and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
CNTRST
= V
IH
. "NOP" is "No Operation".
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA
IN
Dn + 2
5654 drw 13
Qn
DATA
OUT
t
CD1
Qn + 1
t
SD
t
HD
t
CD1
t
CD1
t
DC
t
CKHZ
NOP
Qn + 3
t
CD1
t
DC
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
READ
t
CKLZ
(4)
(2)
(1)
(1)
t
SW
t
HW
WRITE
CE
0
CLK
CE
1
t
CH1
t
CL1
t
CYC1
t
SC
t
HC
R/
W
ADDRESS
An
An +1
t
SW
t
HW
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
(4)
DATA
IN
Dn + 2
5654 drw 14
Qn
DATA
OUT
t
CD1
t
SD
t
HD
t
CD1
t
DC
Qn + 4
t
CD1
t
DC
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
WRITE
READ
t
CKLZ
(2)
Dn + 3
t
OHZ
(1)
(1)
OE
t
OE
CE
0
CLK
CE
1
t
CH1
t
CL1
t
CYC1
t
SC
t
HC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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