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参数资料
型号： IDT70T9169L9PF
厂商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 16K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封装： TQFP-100
文件页数： 6/16页
文件大小： 199K
代理商： IDT70T9169L9PF
6.42
IDT70T9169/59L
High-Speed 2.5V 16/8K x 9 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
.&0=&0
%+123*
"
3
7$93>3"
70T9169/59L7
Com'l Only
70T9169/59L9
Com'l & Ind
70T9169/59L12
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Typ.
(4)
Max.
Unit
I
DD
Dynamc Operating
Current (Both
Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled,
f = f
MAX
(1)
COML
L
80
200
75
175
70
150
mA
IND
L
____
____
75
220
____
____
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COML
L
20
60
20
50
20
40
mA
IND
L
____
____
20
70
____
____
I
SB2
Standby
Current (One
Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
(5)
Active Port Outputs
Disabled, f=f
MAX
(1)
COML
L
50
115
47
100
45
85
mA
IND
L
____
____
47
190
____
____
I
SB3
Full Standby
Current (Both
Ports - CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
L
and
CE
R
>V
DD
- 0.2V,
V
IN
> V
DD
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COML
L
0.1
3.0
0.1
3.0
0.1
3.0
mA
IND
L
____
____
0.1
3.0
____
____
I
SB4
Full Standby
Current (One
Port - CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
DD
- 0.2V
(5)
V
IN
> V
DD
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, Active Port,
Outputs Disabled, f = f
MAX
(1)
COML
L
50
115
47
100
45
85
mA
IND
L
____
____
47
190
____
____
5654 tbl 09
.&0=&0
%123*
3
7$93>3"
NOTE:
1.
At Vcc < 2.0V input leakages are undefined.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70T9169/59L
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DD
= 2.6V, V
IN
= 0V t
o
V
DD
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
or CE
1
= V
IL
, V
OUT
= 0V t
o
V
DD
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +2mA
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -2mA
2.0
___
V
5654 tbl 08
NOTES:
1. At f = f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency clock cycle of 1/t
CYC
, using "AC TEST CONDITIONS" at input
levels of GND to 2.5V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
4. V
DD
= 2.5V, T
A
= 25
°
C for Typ, and are not production tested. I
DD
DC
(f=0)
= 75mA (Typ).
5.
CE
X
= V
IL
means
CE
0X
= V
IL
and CE
1X
= V
IH
CE
X
= V
IH
means
CE
0X
= V
IH
or CE
1X
= V
IL
CE
X
< 0.2V means
CE
0X
< 0.2V and CE
1X
> V
DD
- 0.2V
CE
X
> V
DD
- 0.2V means
CE
0X
> V
DD
- 0.2V or CE
1X
< 0.2V
"X" represents "L" for left port or "R" for right port.
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PDF描述
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IDT70T9159L12BF1 HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9159L12PF HIGH-SPEED 2.5V 16/8K X 9 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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IDT70T9349L12PF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70T9349L12PF8 功能描述:IC SRAM 72KBIT 12NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70T9349L9BF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 9NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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