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参数资料
| 型号： | IDT70V06L55G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 23/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V06L55G |
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Datasheet Document History (cont'd)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
11/20/01:
10/23/08:
Page 1 Corrected standby power designation from mW to μ W
Page 2 & 3 Added date revision for pin configurations
Page 2, 3, 5 & 6 Changed naming conventions from V CC to V DD and from GND to V SS
Page 6 Removed Industrial temp for standard power for 20ns and 25ns speeds from DC Electrical Characteristics
Removed Industrial temp for 35ns and 55ns speeds from DC Electrical Characteristics
Pages 8,13 & 16 Removed Industrial temp for 35ns and 55ns speeds from AC Electrical Characteristics
Page 8 Replaced table 11 with table 11a to show AC Electrical Characteristics for READ CYCLE for 15, 20 & 25ns
Page 22 Removed Industrial temp from 35ns and 55ns in ordering information
Page 22 Removed "IDT" from orderable part numbe
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www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
23
6.42
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V06L55PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V06L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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