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参数资料
| 型号： | IDT70V06L55G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K (16K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V06L55G |
IDT70V06S/L
High-Speed 3.3V 16K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
70V06X15
Com'l Only
70V06X20
Com'l
& Ind
70V06X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
15
____
____
15
20
____
____
20
25
____
____
25
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
t PU
t PD
t SOP
t SAA
Output Enable Access Time (3)
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
Chip Enable to Power Up Time (1,2)
Chip Disable to Power Down Time (1,2)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access (3)
____
3
3
____
0
____
10
____
10
____
____
10
____
15
____
15
____
3
3
____
0
____
10
____
12
____
____
12
____
20
____
20
____
3
3
____
0
____
10
____
13
____
____
15
____
25
____
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2942 tbl 11a
70V06X35
Com'l Only
70V06X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
35
____
____
35
55
____
____
55
ns
ns
t ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
35
____
55
ns
t AOE
Output Enable Access Time
(3)
____
20
____
30
ns
t OH
Output Hold from Address Change
3
____
3
____
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
15
____
25
ns
t PU
t PD
t SOP
Chip Enable to Power Up Time (1,2)
Chip Disable to Power Down Time (1,2)
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
0
____
15
____
35
____
0
____
15
____
50
____
ns
ns
ns
t SAA
Semaphore Address Access
(3)
____
35
____
55
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed but not tested.
3. To access SRAM, CE = V IL , SEM = V IH .
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
8
2942 tbl 11b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT70V06L55PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V06L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V06S15J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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