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参数资料
| 型号： | IDT70V07S35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V07S35G |
HIGH-SPEED 3.3V
32K x 8 DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V07S/L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
High-speed access
Low-power operation
Interrupt Flag
Features
◆
access of the same memory location
◆
– Commercial: 25/35/55ns (max.)
– Industrial: 25/35ns (max.)
◆
– IDT70V07S
Active: 300mW (typ.)
Standby: 3.3mW (typ.)
– IDT70V07L
Active: 300mW (typ.)
Standby: 660 μ W (typ.)
◆
Functional Block Diagram
OE L
CE L
R/ W L
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
IDT70V07 easily expands data bus width to 16 bits or more
using the Master/Slave select when cascading more than
one device
M/ S = V IH for BUSY output flag on Master
M/ S = V IL for BUSY input on Slave
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
TTL-compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Available in 68-pin PGA and PLCC, and a 80-pin TQFP
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0L - I/O 7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O 0R -I/O 7R
,
BUSY L
BUSY R
(1,2)
(1,2)
A 14L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 14R
A 0R
15
15
I NT L
SEM L
(2)
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
M/ S
CE R
OE R
R/ W R
SEM R
INT R (2)
2943 drw 01
NOTES:
1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.
2. BUSY and INT outputs are non-tri-stated push-pull.
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
1
JANUARY 2013
DSC 2943/9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V07S35J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07S35J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V07S35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
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