参数资料
型号: IDT70V07S55G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 13/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 55NS 68PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 68-BPGA
供应商设备封装: 68-PGA(29.46x29.46)
包装: 托盘
其它名称: 70V07S55G
IDT70V07S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (1)
70V07X25
Com'l
& Ind
70V07X35
Com'l
& Ind
70V07X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
25
30
0
0
____
____
____
____
30
35
0
0
____
____
____
____
40
45
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
Waveform of Interrupt Timing (1)
t WC
2043 tbl 14
ADDR "A"
INTERRUPT SET ADDRESS
(2)
t AS
(3)
t WR
(4)
CE "A"
R/ W "A"
t INS (3)
INT "B"
2943 drw 17
t RC
ADDR "B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(2)
t AS (3)
CE "B"
OE "B"
t INR (3)
INT "B"
2943 drw 18
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite from port “A”.
2. See Interrupt Truth Table III.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
13
相关PDF资料
PDF描述
KMPC859TVR133A IC MPU POWERQUICC 133MHZ 357PBGA
IDT7024L35G IC SRAM 64KBIT 35NS 84PGA
IDT7024L25G IC SRAM 64KBIT 25NS 84PGA
KMPC859PZP133A IC MPU POWERQUICC 133MHZ 357PBGA
IDT7024L20G IC SRAM 64KBIT 20NS 84PGA
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT70V07S55J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V07S55J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V07S55PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
IDT70V07S55PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,异步 存储容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V08L15PF 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口,同步 存储容量:1.125M(32K x 36) 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA(17x17) 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8