参数资料
型号: IDT70V07S55G
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 2/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 55NS 68PGA
标准包装: 3
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 256K (32K x 8)
速度: 55ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 68-BPGA
供应商设备封装: 68-PGA(29.46x29.46)
包装: 托盘
其它名称: 70V07S55G
IDT70V07S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM
Description
The IDT70V07 is a high-speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM. The
IDT70V07 is designed to be used as a stand-alone 256K-bit Dual-Port
RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port RAM for 16-bit-
or-more word systems. Using the IDT MASTER/SLAVE Dual-Port RAM
approach in 16-bit or wider memory system applications results in full-
speed, error-free operation without the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
Pin Configurations (1,2,3)
10/25/01
INDEX
Industrial and Commercial Temperature Ranges
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by CE permits the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using CMOS high-performance technology, these devices
typically operate on only 300mW of power.
The IDT70V07 is packaged in a ceramic 68-pin PGA and PLCC and
a 80-pin thin quad flatpack (TQFP).
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8
7
6
5
4
3
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
I/O 2L
I/O 3L
I/O 4L
I/O 5L
GND
10
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A 5L
A 4L
A 3L
A 2L
A 1L
I/O 6L
I/O 7L
V CC
GND
I/O 0R
I/O 1R
I/O 2R
V CC
I/O 3R
I/O 4R
I/O 5R
I/O 6R
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IDT70V07J
J68-1 (4)
68-Pin PLCC
Top View (5)
55
54
53
52
51
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A 0L
INT L
BUSY L
GND
M/ S
BUSY R
INT R
A 0R
A 1R
A 2R
A 3R
A 4R
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
2943 drw 02
NOTES:
1. All V CC pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground.
3. J68-1 package body is approximately .95 in x .95 in x .17 in.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
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