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参数资料
| 型号： | IDT70V25L55G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V25L55G |
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage for 70V25/24 (5)
70V25/24X15
Com'l Only
70V25/24X20
Com'l
& Ind
70V25/24X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
12
____
15
____
20
____
ns
t AW
Address Valid to End-of-Write
12
____
15
____
20
____
ns
t AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
0
____
ns
t WP
t WR
t DW
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
12
0
10
____
____
____
15
0
15
____
____
____
20
0
15
____
____
____
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t DH
Data Hold Time
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t WZ
t OW
t SWRD
t SPS
Write Enable to Output in High-Z (1,2)
Output Active from End-of-Write (1,2,4)
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
____
0
5
5
10
____
____
____
____
0
5
5
12
____
____
____
____
0
5
5
15
____
____
____
ns
ns
ns
ns
5624 tbl 12a
70V25/24X35
Com'l Only
70V25/24X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
WRITE CYCLE
t WC
Write Cycle Time
35
____
55
____
ns
t EW
Chip Enable to End-of-Write
(3)
30
____
45
____
ns
t AW
Address Valid to End-of-Write
30
____
45
____
ns
t AS
Address Set-up Time
(3)
0
____
0
____
ns
Write Enable to Output in High-Z
t WP
t WR
t DW
t HZ
t DH
t WZ
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Output High-Z Time (1,2)
Data Hold Time (4)
(1,2)
25
0
15
____
0
____
____
____
____
15
____
15
40
0
30
____
0
____
____
____
____
25
____
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t OW
t SWRD
t SPS
Output Active from End-of-Write
SEM Flag Write to Read Time
SEM Flag Contention Window
(1,2,4)
0
5
5
____
____
____
0
5
5
____
____
____
ns
ns
ns
5624 tbl 12b
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access SRAM, CE = V IL , UB or LB = V IL , SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH or UB & LB = V IH , and SEM = V IL . Either condition must be valid for
the entire t EW time.
4. The specification for t DH must be met by the device supplying write data to the SRAM under all operating conditions. Although t DH and t OW values will vary over
voltage and temperature, the actual t DH will always be smaller than the actual t OW .
5. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
13
6.42
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