- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录329 > IDT70V25L55G (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V25L55G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/25页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 128K（8K x 16） |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-BPGA |
| 供应商设备封装： | 84-PGA（27.94x27.94） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V25L55G |
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range for 70V35/34 (1) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V35/34X15
Com'l Only
70V35/34X20
Com'l
& Ind
70V35/34X25
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Disabled
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
150
140
____
215
185
____
140
130
140
200
175
225
130
125
____
190
165
____
mA
L
____
____
130
195
____
____
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE R and CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
S
L
S
25
20
____
35
30
____
20
15
20
30
25
45
16
13
____
30
25
____
mA
IND
L
____
____
15
40
____
____
I SB2
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH
(5)
COM'L
S
85
120
80
110
75
110
mA
(One Port - TTL
Level Inputs)
Active Port Outputs Disabled,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
MIL &
IND
L
S
L
80
____
____
110
____
____
75
80
75
100
130
115
72
____
____
95
____
____
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
COM'L
MIL &
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
____
____
85
80
5
2.5
____
____
125
105
1.0
0.2
1.0
0.2
80
75
5
2.5
15
5
115
100
1.0
0.2
____
____
75
70
5
2.5
____
____
105
90
mA
mA
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Disabled,
f = f MAX (3)
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
80
75
130
115
____
____
____
____
NOTES:
5624 tbl 09
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V DD = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 115mA (typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions” of input
levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
GND to 3.0V
3.3V
3.3V
Input Rise/Fall Times
3ns Max.
590 ?
590 ?
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
DATA OUT
BUSY
INT
435 ?
30pF
DATA OUT
435 ?
5pF*
5624 tbl 10
Timing of Power-Up Power-Down
CE
Figure 1. AC Output Test Load
5624 drw 06
Figure 2. Output Test
Load
(For t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig.
,
I CC
t PU
50%
t PD
50%
I SB
8
6.42
5624 drw 07
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V261L25PFGI | IC SRAM 256KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT70V26L35G | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PGA |
| IDT70V27S15PF | IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V28L20PFGI | IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP |
| IDT70V3319S166PRFG | IC SRAM 4MBIT 166MHZ 128TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V25L55J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V25L55J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V25L55PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V25L55PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V25S15J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。