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参数资料
型号： IDT70V25L55G
厂商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数： 9/25页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 128KBIT 55NS 84PGA
标准包装： 3
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 双端口，异步
存储容量： 128K（8K x 16）
速度： 55ns
接口： 并联
电源电压： 3 V ~ 3.6 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 84-BPGA
供应商设备封装： 84-PGA（27.94x27.94）
包装： 托盘
其它名称： 70V25L55G
IDT70V35/34S/L (IDT70V25/24S/L)
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 (8/4K x 16) Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating Temperature
and Supply Voltage Range for 70V25/24 (1) (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V25/24X15
Com'l Only
70V25/24X20
Com'l
& Ind
70V25/24X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Open
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
150
140
____
215
185
____
140
130
140
200
175
225
130
125
____
190
165
____
mA
L
____
____
130
195
125
180
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE R and CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
S
L
S
25
20
____
35
30
____
20
15
20
30
25
45
16
13
____
30
25
____
mA
IND
L
____
____
15
40
13
40
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH
I SB2
I SB3
I SB4
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
(5)
Active Port Outputs Open,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
COM'L
MIL &
IND
COM'L
MIL &
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
85
80
____
____
1.0
0.2
____
____
85
80
120
110
____
____
5
2.5
____
____
125
105
80
75
80
75
1.0
0.2
1.0
0.2
80
75
110
100
130
115
5
2.5
15
5
115
100
75
72
____
72
1.0
0.2
____
0.2
75
70
110
95
____
110
5
2.5
____
5
105
90
mA
mA
mA
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f MAX (3)
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
80
75
130
115
____
70
____
105
5624 tbl 09a
70V25/24X35
Com'l Only
70V25/24X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ. (2)
Max.
Typ. (2)
Max.
Unit
I DD
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE = V IL , Outputs Open
SEM = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
IND
S
L
S
120
115
____
180
155
____
120
115
____
180
155
____
mA
L
____
____
____
____
I SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE R and CE L = V IH
SEM R = SEM L = V IH
f = f MAX (3)
COM'L
MIL &
S
L
S
13
11
____
25
20
____
13
11
____
25
20
____
mA
IND
L
____
____
____
____
I SB2
Standby Current
CE "A" = V IL and CE "B" = V IH
(5)
COM'L
S
70
100
70
100
mA
(One Port - TTL
Level Inputs)
Active Port Outputs Open,
f=f MAX (3)
SEM R = SEM L = V IH
MIL &
IND
L
S
L
65
____
____
90
____
____
65
____
____
90
____
____
I SB3
I SB4
Full Standby Current
(Both Ports -
CMOS Level Inputs)
Full Standby Current
(One Port -
CMOS Level Inputs)
Both Ports CE L and
CE R > V DD - 0.2V,
V IN > V DD - 0.2V or
V IN < 0.2V, f = 0 (4)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
CE "A" < 0.2V and
CE "B" > V DD - 0.2V (5)
SEM R = SEM L > V DD - 0.2V
COM'L
MIL &
IND
COM'L
S
L
S
L
S
L
1.0
0.2
____
____
65
60
5
2.5
____
____
100
85
1.0
0.2
____
____
65
60
5
2.5
____
____
100
85
mA
mA
V IN > V DD - 0.2V or V IN < 0.2V
Active Port Outputs Open,
f = f MAX (3)
MIL &
IND
S
L
____
____
____
____
____
____
____
____
NOTES:
5624 tbl 09b
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L)
2. V DD = 3.3V, T A = +25°C, and are not production tested. I DD DC = 115mA (typ.)
3. At f = f MAX , address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1/t RC , and using “AC Test Conditions” of input
levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
9
6.42
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IDT70V25L55PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V25L55PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF
IDT70V25S15J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 15NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8
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