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参数资料
| 型号： | IDT70V26S35J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V26S35J8 |
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
Type
A
A
Power
999
Speed
A
Package
A
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
G (2)
G
J
Commercial (0 ° C to +70 ° C)
Industrial (-40 ° C to +85 ° C)
Green
84-pin PGA (G84-3)
84-pin PLCC (J84-1)
25
35
55
S
L
Blank (3)
Commercial & Industrial
Commercial Only
Commercial Only
Standard Power
Low Power
Speed in nanoseconds
W
70V26
W Die Stepping Only
256K (16K x 16) 3.3V Dual-Port RAM
2945 drw 18
NOTES:
1. For other speeds, packages and powers contact your sales office.
2. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
3. All qualified die steppings.
Datasheet Document History
3/25/99:
6/10/99:
8/6/99:
8/30/99:
11/12/99:
Initiated datasheet document history
Converted to new format
Cosmetic and typographical corrections
Page 2 and 3 Added additional notes to pin configurations
Changed drawing format
Page 1 Removed Preliminary
Page 1 Changed 660mW to 660 μ W
Replaced IDT logo
6/6/00:
Page 5
Increased storage temperature parameter & Clarified T A parameter
Page 6 DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Changed ±200mV to 0mV in notes
07/21/03:
02/15/08:
01/19/09:
Page 2 & 3 Added date revision to pin configurations
Page 2, 3, 5 -8 & 11 Changed naming conventions from V CC to V DD and from GND to V SS
Page 6 Added Industrial temp to DC Electrical Characteristics for standard power and low power for 25ns speed
Page 7, 8 & 11 Added Industrial temp to AC Electrical Characteristics for 25ns speed
Page 1 & 17 Added Industrial temp at 25ns to Features and in ordering information
Page 1 & 17 Updated IDT logo from TM to ?
Page 1 Added green availability to features
Page 17 Added green indicator to ordering information
Page 17 Added die stepping indicator to ordering information
Page 17 Removed "IDT" from orderable part number
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
for Tech Support:
408-284-2794
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
17
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V26S25J8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC |
| 046288012000846+ | CONN FFC/FPC 12POS .5MM R/A SMD |
| 006200510130000+ | CONN FFC/FPC 10POS 1MM R/A SMD |
| IDT7026S55JI8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| IDT7026S35J8 | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V26S55G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V26S55J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26S55J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V27L15BF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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