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参数资料
| 型号： | IDT70V26S35J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
| 标准包装： | 200 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 256K（16K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 84-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 84-PLCC（29.21x29.21） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V26S35J8 |
IDT70V26S/L
High-Speed 16K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (4)
70V26X25
Com'l
& Ind
70V26X35
Com'l Only
70V26X55
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
Read Cycle Time
Address Access Time
25
____
____
25
35
____
____
35
55
____
____
55
ns
ns
t ACE
t ABE
Chip Enable Access Time
Byte Enable Access Time
(3)
(3)
____
____
25
25
____
____
35
35
____
____
55
55
ns
ns
t AOE
t OH
t LZ
t HZ
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,2)
Output High-Z Time (1,2)
____
3
3
____
15
____
____
15
____
3
3
____
20
____
____
20
____
3
3
____
30
____
____
25
ns
ns
ns
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
25
____
35
____
50
ns
t SOP
t SAA
Semaphore Flag Update Pulse ( OE or SEM )
Semaphore Address Access Time
15
____
____
35
15
____
____
45
15
____
____
65
ns
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low- or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL .
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
Timing of Power-Up Power-Down
CE
2945 tbl 11
I CC
t PU
50%
t PD
50%
I SB
2945 drw 06 ,
7
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V26S25J8 | IC SRAM 256KBIT 25NS 84PLCC |
| 046288012000846+ | CONN FFC/FPC 12POS .5MM R/A SMD |
| 006200510130000+ | CONN FFC/FPC 10POS 1MM R/A SMD |
| IDT7026S55JI8 | IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC |
| IDT7026S35J8 | IC SRAM 256KBIT 35NS 84PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V26S55G | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V26S55J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V26S55J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 84PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V27L15BF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 144FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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